2026年9月22日至23日，2026中关村论坛系列活动——化合物半导体光电子器件与应用北京论坛在北京经济技术开发区举办。论坛以“材料创新驱动、光电融合赋能”为主题，由宽禁带半导体超越照明材料与技术全国重点实验室（以下简称“实验室”）、中国光学学会信息光电子器件技术专委会、中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）共同主办，来自高校院所、产业链上下游企业、投资机构及产业园区的专家学者和行业代表300余人参会。
论坛开设 “宽禁带半导体光电子器件前沿技术”“高速光电子器件与光子集成”“新型光电子器件及应用”“新型显示器件及应用” 四大平行分论坛，累计开展近 40 场学术研讨，覆盖氮化镓基激光器、AI 算力中心专用激光芯片、CPO/OIO 、量子点光频梳、Micro-LED 微显示产业化等方向，围绕化合物半导体光电子器件的前沿技术突破与规模化应用路径展开深度研讨。
大咖云集亦庄，政产学研共话“十五五”产业新机遇
北京经济技术开发区正超前布局光电子前沿方向，大力支持宽禁带半导体光电全国重点实验室、北京信息光电子芯片平台等创新平台建设。北京经济技术开发区管理委员会作了产业推介，经济开发区将持续推动化合物半导体光电子领域创新链产业链深度融合，赋能主导产业迭代升级、培育发展未来产业。
中关村半导体照明联合创新重点实验室主任、第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲在致辞中表示，化合物半导体光电子正在驱动“光电融合”革命，产业已步入技术突破与市场扩张相互驱动的关键周期。
开幕式由实验室副主任、CSA秘书长阮军主持。实验室学术委员会副主任委员李晋闽主持特邀报告环节。实验室主任汪莱作特邀报告，实验室副主任曹峻松主持“新型显示器件及应用”分论坛部分环节。
罗毅院士：高速光电子芯片是人工智能的基础
中国工程院院士、清华大学教授罗毅在大会报告中系统阐述了高速光电子芯片与人工智能的深层关系。在他看来，光电子的下一个最大机遇在人工智能，当电互连在带宽与能耗上触顶，AI算力需求以指数级速度增长，与趋于饱和的摩尔定律之间鸿沟日深，能耗与成本已成瓶颈。他提出，光电子与微电子应当携手，高带宽内存、存算一体、高速可重构光交换、硅光集成与CPO光电共封装等路线，核心是解决存、算、传三类资源的最优调度。
汪莱教授：宽禁带半导体光电子技术迈向“数字光学”
实验室主任、清华大学汪莱教授以“宽禁带半导体光电子技术的发展趋势——数字光学（Digital Photonics）”为题，提出宽禁带半导体光电子的下一步是从“照明”走向“超越照明应用”，并逐步迈向“数字光学”。围绕Micro-LED在微显示、短距光互连等领域的应用方向，汪莱展示了宽禁带半导体光电子在器件工艺、产业发展等方面的技术路径，并结合团队的研究实践，向与会者分享了系统的思考。
中山大学余思远、北京大学王兴军、西北工业大学李立等高校科研专家，以及錼创科技李允立、路明科技肖志国等企业技术负责人，围绕异质集成光电子芯片、硅基光电融合、Micro-LED 器件、低轨星间链路、稀土发光材料开展专题分享。